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1995 apr 25 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双 门 mos-fets bf909; bf909r
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板.
2. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 源 含铅的.
静态的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. R
G1
connects 门 1 至 v
GG
= 5 v; 看 图.18.
动态 特性
一般 源; t
amb
=25
°
c; V
DS
= 5 v; v
g2-s
= 4 v; i
D
= 15 毫安; 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1
BF909 500 k/w
BF909R 550 k/w
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 便条 2
BF909 T
s
=92
°
C 290 k/w
BF909R T
s
=78
°
C 360 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)g1-ss
门 1-源 损坏 电压 V
g2-s
=V
DS
= 0; i
g1-s
= 10 毫安 6 15 V
V
(br)g2-ss
门 2-源 损坏 电压 V
g1-s
=V
DS
= 0; i
g2-s
= 10 毫安 6 15 V
V
(f)s-g1
向前 源-门 1 电压 V
g2-s
=V
DS
= 0; i
s-g1
= 10 毫安 0.5 1.5 V
V
(f)s-g2
向前 源-门 2 电压 V
g1-s
=V
DS
= 0; i
s-g2
= 10 毫安 0.5 1.5 V
V
g1-s(th)
门 1-源 门槛 电压 V
g2-s
=4v; v
DS
=5v;
I
D
=20
µ
一个
0.3 1 V
V
g2-s(th)
门 2-源 门槛 电压 V
g1-s
=V
DS
=5v; i
D
=20
µ
一个 0.3 1.2 V
I
DSX
流-源 电流 V
g2-s
=4v; v
DS
=5v;
R
G1
= 120 k
Ω
; 便条 1
12 20 毫安
I
g1-ss
门 1 截-止 电流 V
g1-s
=5v; v
g2-s
=V
DS
=0
−
50 nA
I
g2-ss
门 2 截-止 电流 V
g2-s
=5v; v
g1-s
=V
DS
=0
−
50 nA
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位

y
fs

向前 转移 admittance 搏动; t
j
=25
°
C 364350mS
C
ig1-s
输入 电容 在 门 1 f = 1 MHz
−
3.6 4.3 pF
C
ig2-s
输入 电容 在 门 2 f = 1 MHz
−
2.3 3 pF
C
os
流-源 电容 f = 1 MHz
−
2.3 3 pF
C
rs
反转 转移 电容 f = 1 MHz
−
35 50 fF
F 噪音 ﬁgure f = 800 mhz; g
S
=G
Sopt
; b
S
=B
Sopt
−
2 2.8 dB

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1995 apr 25 4 飞利浦半导体产品规格 n-频道双门 mos-fets bf909; bf909r 热的特性注释 1. 设备挂载在一个打印-电路板. 2. T s 是这温度在这焊接要点的这源含铅的. 静态的特性 T j =25 ° c; 除非否则 speciﬁed. 便条 1. R G1 connects 门 1 至 v GG = 5 v; 看图.18. 动态特性一般源; t amb =25 ° c; V DS = 5 v; v g2-s = 4 v; i D = 15 毫安; 除非否则指定. 标识参数情况值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的便条 1 BF909 500 k/w BF909R 550 k/w R th j-s 热的阻抗从接合面至焊接要点便条 2 BF909 T s =92 ° C 290 k/w BF909R T s =78 ° C 360 k/w 标识参数情况最小值最大值单位 V (br)g1-ss 门 1-源损坏电压 V g2-s =V DS = 0; i g1-s = 10 毫安 6 15 V V (br)g2-ss 门 2-源损坏电压 V g1-s =V DS = 0; i g2-s = 10 毫安 6 15 V V (f)s-g1 向前源-门 1 电压 V g2-s =V DS = 0; i s-g1 = 10 毫安 0.5 1.5 V V (f)s-g2 向前源-门 2 电压 V g1-s =V DS = 0; i s-g2 = 10 毫安 0.5 1.5 V V g1-s(th) 门 1-源门槛电压 V g2-s =4v; v DS =5v; I D =20 µ 一个 0.3 1 V V g2-s(th) 门 2-源门槛电压 V g1-s =V DS =5v; i D =20 µ 一个 0.3 1.2 V I DSX 流-源电流 V g2-s =4v; v DS =5v; R G1 = 120 k Ω ; 便条 1 12 20 毫安 I g1-ss 门 1 截-止电流 V g1-s =5v; v g2-s =V DS =0 − 50 nA I g2-ss 门 2 截-止电流 V g2-s =5v; v g1-s =V DS =0 − 50 nA 标识参数情况最小值典型值最大值单位  y fs  向前转移 admittance 搏动; t j =25 ° C 364350mS C ig1-s 输入电容在门 1 f = 1 MHz − 3.6 4.3 pF C ig2-s 输入电容在门 2 f = 1 MHz − 2.3 3 pF C os 流-源电容 f = 1 MHz − 2.3 3 pF C rs 反转转移电容 f = 1 MHz − 35 50 fF F 噪音 ﬁgure f = 800 mhz; g S =G Sopt ; b S =B Sopt − 2 2.8 dB

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