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资料编号:169627
 
资料名称:BF909R
 
文件大小: 148.94K
   
说明
 
介绍:
N-channel dual gate MOS-FETs
 
 


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1995 apr 25 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双 门 mos-fets bf909; bf909r
图.8 向前 转移 admittance 作 一个
函数 的 流 电流; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
60
40
20
0
10 20 30
MLB940
y
fs
(ms)
i (毫安)
D
3.5 v
3 v
2.5 v
2 v
v = 4 v
g2 s
图.9 流 电流 作 一个 函数 的 门 1 电流;
典型 值.
V
DS
= 5 v; v
g2-s
=4v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0204060
25
0
20
MLB941
15
10
5
i (
µ
一个)
G1
I
D
(毫安)
图.10 流 电流 作 一个 函数 的 门 1
供应 电压 (= V
GG
); 典型 值;
看 图.18.
V
DS
= 5 v; v
g2-s
=4v.
R
G1
= 120 k
(连接 至 v
GG
); t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0246
16
12
4
0
8
MLB942
v (v)
GG
I
D
(毫安)
图.11 流 电流 作 一个 函数 的 门 1
(= V
GG
) 和 流 供应 电压;
典型 值; 看 图.18.
V
g2-s
=4v.
R
G1
连接 至 v
GG
; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
30
20
10
0
24 8
MLB943
6
v = v (v)
GG DS
I
D
(毫安)
r = 47 k
G1
68 k
82 k
100 k
120 k
150 k
180 k
220 k
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