1995 apr 25 7
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双 门 mos-fets bf909; bf909r
V
DS
= 5 v; t
j
=25
°
c.
R
G1
= 120 k
Ω
(连接 至 v
GG
).
图.12 流 电流 作 一个 函数 的 门 2 电压;
典型 值; 看 图.18.
handbook, halfpage
0246
20
0
16
MLB944
12
8
4
I
D
(毫安)
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
v = 5 v
GG
v (v)
g2 s
图.13 门 1 电流 作 一个 函数 的 门 2
电压; 典型 值; 看 图.18.
V
DS
= 5 v; t
j
=25
°
c.
R
G1
= 120 k
Ω
(连接 至 v
GG
).
handbook, halfpage
0246
40
30
10
0
20
MLB945
I
G1
(
µ
一个)
v (v)
g2 s
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v
v = 5 v
GG
图.14 输入 admittance 作 一个 函数 的 频率;
典型 值.
V
DS
= 5 v; v
G2
=4v.
I
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
10
3
MLB946
10
2
10
10
1
10
2
10
1
y
是
(ms)
f (mhz)
b
是
g
是
图.15 反转 转移 admittance 和 阶段 作
一个 函数 的 频率; 典型 值.
V
DS
= 5 v; v
G2
=4v.
I
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
c.
10
3
MLB947
10
2
10
10
3
10
2
10
1
y
rs
10
3
10
10
1
2
rs
(
µ
s)
f (mhz)
rs
y
rs
(deg)
ϕ
ϕ
: 点此下载
