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资料编号：169660
 
资料名称：BF999
 
文件大小： 116.21K
   
说明：
 
介绍:
Silicon N Channel MOSFET Triode (For high-frequency stages up to 300 MHz, preferably in FM applications)
 
 


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BF999
十一月-08-20023
输出 特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
0
0
eht07308bf 999
Ι
D
DS
V
20
V
GS
=
5
10
15
20
毫安
25
51015V
V
0.6 V
0.4 V
0.2 V
0V
-0.2 V
-0.4 V
v-0.6
0.8
总的 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
S
)
0 20 40 60 80 100 120
°C
150
T
S
0
50
100
150
200
mW
300
P
tot
门 跨导
g
fs
=
f
(
V
GS
)
-1
0
EHT07309bf 999
g
fs
GS
V
012V3
5
10
15
mS
20
流 电流
I
D
=
f
(
V
GS
)
-1
0
eht07310bf 999
GS
V
Ι
D
10
20
30
毫安
01V2
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