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资料编号:169660
 
资料名称:BF999
 
文件大小: 116.21K
   
说明
 
介绍:
Silicon N Channel MOSFET Triode (For high-frequency stages up to 300 MHz, preferably in FM applications)
 
 


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BF999
十一月-08-20025
门 向前 转移 admittance
y
21s
(一般-源)
4
-15
eht07315bf 999
b
21s
g
21s
= 800
f
6 8 10 12 14 mS 16
-10
-5
mS
0
700
600
500
400
300
200
100
50
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
输出 admittance
y
22s
(一般-源)
0
0
eht07316bf 999
b
22s
g
0.1 0.2 0.3 0.4 mS 0.5
4
5
mS
22s
50
100
200
300
400
500
600
700
= 800
3
2
1
f
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
测试 电路 为 电源 增益 和 噪音 图示
f
= 200 mhz
EHM07024
Dr
输入
60
60
输出
15 pf
1 nf
1 nf
BB515
270 k
270 k
V
DS
V
tun
V
tun
V
G1S
270
k
BB515
1 nf
15 pf
1 nf
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