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资料编号：169660
 
资料名称：BF999
 
文件大小： 116.21K
   
说明：
 
介绍:
Silicon N Channel MOSFET Triode (For high-frequency stages up to 300 MHz, preferably in FM applications)
 
 


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BF999
十一月-08-20024
门 输入 电容
C
gss
=
f
(
V
GS
)
-2
0
eht07311bf 999
C
gss
GS
V
-1
01V
1
2
pF
3
输出 电容
C
dss
=
f
(
V
DS
)
0
0.0
EHT07312bf 999
C
dss
DS
V
5
10 15V
0.5
1.0
1.5
pF
2.0
反转 转移 电容
C
dg
=
f
(
V
DS
)
0
0
eht07313bf 999
C
dg
DS
V
5
10 15V
50
100
150
fF
200
门 输入 admittance
y
11s
(一般-源)
0
0
eht07314bf 999
b
11s
g
11s
50
100
200
300
400
500
600
700
= 800
f
123mS4
2
4
6
8
10
12
mS
14
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
MHz
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