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1997 Sep 05 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF909WR
图.3 unwanted 电压 为 1% 交叉-调制
作 一个 函数 的 增益 减少; 典型
值; 看 图.17.
V
DS
= 5 v; v
GG
= 5 v; f
w
= 50 mhz.
f
unw
= 60 mhz; t
amb
=25
°
c; r
G1
= 120 k
Ω
.
handbook, halfpage
0
110
100
90
80
10 50
MLB936
20 30 40
V
unw
(db
µ
v)
增益 减少 (db)
图.4  转移 特性; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
30
20
10
0
0.4 2.0
MLB937
0.8 1.2 1.6
I
D
(毫安)
v           (v)
g1   s
v           = 4 v
3 v 2.5 v
2 v
1.5 v
1 v
g2   s
图.5  输出 特性; 典型 值.
V
DS
=5v.
V
g2-s
=4v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
30
20
10
0
210
MLB938
468
I
D
(毫安)
v      (v)
DS
1.3 v
1.2 v
1.1 v
1.0 v
0.9 v
v           = 1.4 v
g1   s
图.6 门 1 电流 作 一个 函数 的 门 1
电压; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0123
200
150
50
0
100
MLB939
I
G1
(
µ
一个)
v           (v)
g1   s
3 v
2.5 v
2 v
3.5 v
v           = 4 v
g2   s

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1997 Sep 05 5 飞利浦半导体产品规格 n-频道双-门 mos-场效应晶体管 BF909WR 图.3 unwanted 电压为 1% 交叉-调制作一个函数的增益减少; 典型值; 看图.17. V DS = 5 v; v GG = 5 v; f w = 50 mhz. f unw = 60 mhz; t amb =25 ° c; r G1 = 120 k Ω . handbook, halfpage 0 110 100 90 80 10 50 MLB936 20 30 40 V unw (db µ v) 增益减少 (db) 图.4 转移特性; 典型值. V DS =5v. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 30 20 10 0 0.4 2.0 MLB937 0.8 1.2 1.6 I D (毫安) v (v) g1 s v = 4 v 3 v 2.5 v 2 v 1.5 v 1 v g2 s 图.5 输出特性; 典型值. V DS =5v. V g2-s =4v. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0 30 20 10 0 210 MLB938 468 I D (毫安) v (v) DS 1.3 v 1.2 v 1.1 v 1.0 v 0.9 v v = 1.4 v g1 s 图.6 门 1 电流作一个函数的门 1 电压; 典型值. V DS =5v. T j =25 ° c. handbook, halfpage 0123 200 150 50 0 100 MLB939 I G1 ( µ 一个) v (v) g1 s 3 v 2.5 v 2 v 3.5 v v = 4 v g2 s

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