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1997 Sep 05 8
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF909WR
图.15 向前 转移 admittance 和 阶段 作
一个 函数 的 频率; 典型 值.
V
DS
= 5 v; v
G2
=4v.
I
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
c.
10
3
MLB948
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
y
fs
(ms)
y
fs
f  (mhz)
fs
fs
(deg)
ϕ
ϕ
图.16 输出 admittance 作 一个 函数 的
频率; 典型 值.
V
DS
= 5 v; v
G2
=4v.
I
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
c.
handbook, halfpage
10
3
MLB949
10
2
10
10
1
10
1
10
2
y
os
(ms)
f  (mhz)
b
os
g
os
图.17  交叉-调制 测试 设置-向上.
DUT
V
AGC
C1
4.7 nf
R1
10 k
Ω
C5
MLD151
C4
4.7 nf
V
DS
L1
350 nh
C3 12 pf
2.2
pF
R
L
50
Ω
50
Ω
50
Ω
R3
10
Ω
≈
V
GG
R
GEN
V
I
R2
4.7 nf
C2
R
G1

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1997 Sep 05 8 飞利浦半导体产品规格 n-频道双-门 mos-场效应晶体管 BF909WR 图.15 向前转移 admittance 和阶段作一个函数的频率; 典型值. V DS = 5 v; v G2 =4v. I D = 15 毫安; t amb =25 ° c. 10 3 MLB948 10 2 10 1 10 2 10 1 10 10 2 y fs (ms) y fs f (mhz) fs fs (deg) ϕ ϕ 图.16 输出 admittance 作一个函数的频率; 典型值. V DS = 5 v; v G2 =4v. I D = 15 毫安; t amb =25 ° c. handbook, halfpage 10 3 MLB949 10 2 10 10 1 10 1 10 2 y os (ms) f (mhz) b os g os 图.17 交叉-调制测试设置-向上. DUT V AGC C1 4.7 nf R1 10 k Ω C5 MLD151 C4 4.7 nf V DS L1 350 nh C3 12 pf 2.2 pF R L 50 Ω 50 Ω 50 Ω R3 10 Ω ≈ V GG R GEN V I R2 4.7 nf C2 R G1

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