1997 Sep 05 9
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF909WR
表格 1
scattering 参数: V
DS
= 5 v; v
g2-s
= 4 v; i
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
C
表格 2
噪音 数据: V
DS
= 5 v; v
g2-s
= 4 v; i
D
= 15 毫安; t
amb
=25
°
C
f
(mhz)
s
11
s
21
s
12
s
22
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
巨大
(比率)
角度
(deg)
50 0.985
−
6.4 4.064 172.3 0.001 86.9 0.985
−
3.2
100 0.978
−
12.6 3.997 164.9 0.002 82.7 0.982
−
6.4
200 0.957
−
25.0 3.886 150.8 0.005 74.3 0.973
−
12.6
300 0.931
−
36.5 3.682 137.3 0.006 68.9 0.960
−
18.6
400 0.899
−
47.6 3.484 123.8 0.007 59.6 0.947
−
24.2
500 0.868
−
57.4 3.260 111.7 0.007 57.9 0.936
−
29.6
600 0.848
−
66.6 3.053 101.0 0.006 58.5 0.927
−
34.8
700 0.816
−
74.6 2.829 90.3 0.005 65.5 0.919
−
39.8
800 0.792
−
82.2 2.652 79.9 0.005 83.3 0.913
−
44.6
900 0.772
−
89.3 2.470 69.5 0.005 114.9 0.910
−
49.5
1000 0.754
−
95.6 2.328 59.5 0.006 138.7 0.909
−
54.6
f
(mhz)
F
最小值
(db)
Γ
opt
r
n
(比率) (deg)
800 2.00 0.603 67.71 0.581
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