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资料编号:170245
 
资料名称:BFP520
 
文件大小: 48.56K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V)
 
 


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BFP520SIEGET
45
sep-26-20014
额外的刺激 参数 (gummel-poon 模型, berkley-额外的刺激 2g.6 syntax) :
晶体管 碎片 数据
是 =
15
aA
vaf =
25 V
ne =
2-
var =
2V
nc =
2-
rbm =
7.5
cje =
235 fF
tf =
1.7 ps
itf =
0.7 一个
vjc =
0.661 V
tr =
50 ns
mjs =
0.333 -
xti =
0.035 -
bf =
235 -
ikf =
0.4 一个
br =
1.5 -
ikr =
0.01 一个
rb =
11
re =
0.6
vje =
0.958 V
xtf =
10 -
ptf =
50 deg
mjc =
0.236 -
cjs =
0fF
xtb =
-0.25 -
fc =
0.5 -
nf =
1 -
ise =
25 fA
nr =
1-
isc =
20 fA
irb =
-一个
rc =
7.6
mje =
0.335 -
vtf =
5V
cjc =
93 fF
xcjc =
1-
vjs =
0.75 V
eg =
1.11 eV
TNOM
298 K
包装 相等的 电路:
L
BI
=
0.47 nH
L
BO
=
0.53 nH
L
EI
=
0.23 nH
L
EO
=
0.05 nH
L
CI
=
0.56 nH
L
CO
=
0.58 nH
C
=
136 fF
C
CB
=
6.9 fF
C
CE
=
134 fF
有效的 向上 至 6ghz
这 sot-343 包装 有 二 发射级 leads. 至 避免 高 complexity 的 这 包装 相等的 电路,
两个都 leads 是 联合的 在 一个 电的 连接.
为 examples 和 准备好 至 使用 参数 请 联系 your local infineon 科技
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