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资料编号:170245
 
资料名称:BFP520
 
文件大小: 48.56K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For highest gain low noise amplifier at 1.8 GHz and 2 mA / 2 V)
 
 


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BFP520SIEGET
45
sep-26-20016
总的 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
S
)
0 20 40 60 80 100 120
°C
150
T
S
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
mW
120
P
tot
转变 频率
f
T
=
f
(
I
C
)
f
= 2 ghz
V
CE
= 参数 在 v
0 5 10 15 20 25 30 35
毫安
45
I
C
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
GHz
52
f
T
2
1
0.75
0.5
容许的 脉冲波 加载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
0
10
1
10
-
P
totmax
/ p
totDC
d = 0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
容许的 脉冲波 加载
R
thJS
=
f
(
t
p
)
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
2
10
3
10
k/w
R
thJS
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
d = 0
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