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BFP520SIEGET
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sep-26-20015
为 非-直线的 simulation:
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使用 晶体管 碎片 参数 在 berkeley 额外的刺激 2g.6 syntax 为 所有 simulators.
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simulation 的 这 包装 是 不 需要 为 发生率 < 100mhz.
为 高等级的 发生率 请 增加 这 线路 的 这 包装 相等的 电路
周围 这 非-直线的 晶体管.
有利因素 的 这 一般 发射级 配置:
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高等级的 增益 因为 的 更小的 发射级 电感.
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电源 是 dissipated 通过 这 grounded 发射级 leads, 因为 这 碎片 是 挂载
在 这 铜 发射级 引线框架.
请 便条, 那 这 broadest 含铅的 是 这 发射级 含铅的.

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BFP520SIEGET  45 sep-26-20015 为非-直线的 simulation:  使用晶体管碎片参数在 berkeley 额外的刺激 2g.6 syntax 为所有 simulators.  simulation 的这包装是不需要为发生率 < 100mhz. 为高等级的发生率请增加这线路的这包装相等的电路周围这非-直线的晶体管. 有利因素的这一般发射级配置:  高等级的增益因为的更小的发射级电感.  电源是 dissipated 通过这 grounded 发射级 leads, 因为这碎片是挂载在这铜发射级引线框架. 请便条, 那这 broadest 含铅的是这发射级含铅的.

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