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资料编号:180164
 
资料名称:BS616LV2013EC
 
文件大小: 241.25K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
 
 


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修订 2.5
april 2002
2
r0201-bs616lv2013
名字 函数
a0-a16 地址 输入
这些 17 地址 输入 选择 一个 的 这 131,072 x 16-位 words 在 这 内存.
ce 碎片 使能 输入
ce 是 起作用的 低. 碎片 使能 必须 是 起作用的 当 数据 读 从 或者 写 至 这
设备. 如果 碎片 使能 是 不 起作用的, 这 设备 是 deselected 和 是 在 一个 备用物品 电源
模式. 这 dq 管脚 将 是 在 这 高 阻抗 状态 当 这 设备 是 deselected.
我们 写 使能 输入
这 写 使能 输入 是 起作用的 低 和 控制 读 和 写 行动. 和 这
碎片 选择, 当 我们 是 高 和 oe 是 低, 输出 数据 将 是 呈现 在 这
dq 管脚; 当 我们 是 低, 这 数据 呈现 在 这 dq 管脚 将 是 写 在 这
选择 记忆 location.
oe 输出 使能 输入
这 输出 使能 输入 是 起作用的 低. 如果 这 输出 使能 是 起作用的 当 这 碎片 是
选择 和 这 写 使能 是 inactive, 数据 将 是 呈现 在 这 dq 管脚 和 它们
将 是 使能. 这 dq 管脚 将 是 在 这 高 阻抗 状态 当 oe 是 inactive.
lb 和 ub 数据 字节 控制 输入
更小的 字节 和 upper 字节 数据 输入/输出 控制 管脚.
dq0 - dq15 数据 输入/输出
端口
这些 16 bi-directional 端口 是 使用 至 读 数据 从 或者 写 数据 在 这 内存.
Vcc
电源 供应
地面
真实 表格
管脚 描述
BSI
BS616LV2013
模式 CE 我们 OE LB UB DQ0~DQ7 DQ8~DQ15 vcc 电流
不 选择
(电源 向下
B1
)
HXXXX 高 z 高 z I
CCSB
, i
CCS
输出 无能 L H H X X 高 z 高 z I
CC
L L Dout Dout I
CC
H L 高 z Dout I
CC
L H L
L H Dout 高 z I
CC
LL Din Din I
CC
HL X Din I
CC
L L X
LH Din X I
CC
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