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资料编号:180164
 
资料名称:BS616LV2013EC
 
文件大小: 241.25K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit
 
 


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修订 2.5
april 2002
3
参数
名字
参数 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值
单位
V
IL
有保证的 输入 低
电压
(2)
vcc=3.0v
-0.5 -- 0.8 V
V
IH
有保证的 输入 高
电压
(2)
vcc=3.0v
2.0 -- vcc+0.2 V
I
IL
输入 泄漏 电流 vcc = 最大值, v
= 0v 至 vcc -- -- 1 uA
I
OL
输出 泄漏 电流
vcc = 最大值, ce = v
IH
, 或者 oe = v
IH
,
V
i/o
= 0v 至 vcc
-- -- 1 uA
V
OL
输出 低 电压 vcc = 最大值, i
OL
= 2ma
vcc=3.0v
-- -- 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 vcc = 最小值, i
OH
= -1ma
vcc=3.0v
2.4 -- -- V
I
CC
运行 电源 供应
电流
ce = v
IL
, i
DQ
= 0ma, f = fmax
(3)
vcc=3.0v
-- -- 20 毫安
I
CCSB
备用物品 电流-ttl ce = v
IH
, i
DQ
= 0ma
vcc=3.0v
-- -- 1 毫安
I
CCSB1
备用物品 电流-cmos
CE
vcc-0.2v,
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
vcc=3.0v
-- 0.1 0.7 uA
r0201-bs616lv2013
标识 PARAMETER 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
vcc 为 数据 保持
CE
vcc - 0.2v
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
1.5 -- -- V
I
CCDR
数据 保持 电流
CE
vcc - 0.2v
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
-- 0.05 0.5 uA
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
0 -- -- ns
t
R
运作 恢复 时间
看 保持 波形
T
RC
(2)
-- -- ns
标识 参数 情况 最大值 单位
C
输入
电容
V
=0V 6 pF
C
DQ
输入/输出
电容
V
i/o
=0V 8 pF
范围
包围的
温度
Vcc
商业的 0
O
c 至 +70
O
c2.4v ~ 3.6v
工业的 -40
O
c 至 +85
O
c2.4v ~ 3.6v
1. 典型 特性 是 在 ta = 25
o
c.
2. 这些 是 绝对 值 和 遵守 至 设备 地面 和 所有 overshoots 预定的 至 系统 或者 tester 注意 是 包含.
3. fmax = 1/t
RC
.
数据 保持 特性
( ta = 0 至 + 70
o
c )
1. vcc = 1.5v, T
一个
= + 25
O
C
2. t
RC
= 读 循环 时间
绝对 最大 比率
(1)
运行 范围
电容
(1)
(ta = 25
o
c, f = 1.0 mhz)
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大
比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个
压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些
或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 implied. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响
可靠性.
1. 这个 参数 是 有保证的 和 不 测试.
直流 电的 特性
( ta = 0 至 + 70
o
c )
标识 参数 比率 单位
V
终端 电压 和
遵守 至 地
-0.5 至
vcc+0.5
V
T
偏差
温度 下面 偏差 C-40 至 +125
O
T
STG
存储 温度 c-60 至 +150
O
P
T
电源 消耗 1.0 W
I
输出
直流 输出 电流 20 毫安
BSI
BS616LV2013
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