飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 BSH205
mos 晶体管
电的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= -10
µ
一个 -12 - - V
电压
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= -1 毫安 -0.4 -0.68 - V
T
j
= 150˚c -0.1 - - V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= -4.5 v; i
D
= -430 毫安 - 0.18 0.4
Ω
阻抗 V
GS
= -2.5 v; i
D
= -430 毫安 - 0.32 0.5
Ω
V
GS
= -1.8 v; i
D
= -210 毫安 - 0.42 0.6
Ω
V
GS
= -2.5 v; i
D
= -430 毫安; t
j
= 150˚c - 0.48 0.75
Ω
g
fs
向前 跨导 V
DS
= -9.6 v; i
D
= -430 毫安 0.5 1.6 - S
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
8 v; v
DS
= 0 v -
±
10
±
100 nA
I
DSS
零 门 电压 流 V
DS
= -9.6 v; v
GS
= 0 v; - -50 -100 nA
电流 T
j
= 150˚c - -11 -100
µ
一个
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= -0.5 一个; v
DD
= -10 v; v
GS
= -4.5 v - 3.8 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 0.4 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 1.0 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= -10 v; i
D
= -0.5 一个; - 2 - ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= -8 v; r
G
= 6
Ω
- 4.5 - ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 45 - ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 20 - ns
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= -9.6 v; f = 1 mhz - 200 - pF
C
oss
输出 电容 - 95 - pF
C
rss
反馈 电容 - 41 - pF
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
DR
持续的 反转 流 T
一个
= 25 ˚c - - -0.75 一个
电流
I
DRM
搏动 反转 流 电流 - - -3 一个
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= -0.38 一个; v
GS
= 0 v - -0.72 -1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= -0.5 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 75 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= 0 v; v
R
= -9.6 v - 69 - nC
8月 1998 2 rev 1.000
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