飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 BSH205
mos 晶体管
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
)
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
R
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
)
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
图.11. sub-门槛 流 电流.
I
D
= f(v
gs)
; 情况: t
j
= 25 ˚c
图.12. 典型 capacitances, c
iss
, c
oss
, c
rss
.
c = f(v
DS
); 情况: v
GS
= 0 v; f = 1 mhz
BSH205
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-3-2.5-2-1.5-1-0.50
门-源 电压, vgs (v)
vds > id x rds(在)
tj = 25 c
150 c
流 电流, id (一个)
门槛 电压, vgs(至), (v)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0 25 50 75 100 125 150
接合面 温度, tj (c)
最小
典型
BSH205
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-2.6-2.4-2.2-2-1.8-1.6-1.4-1.2-1-0.8-0.6-0.4-0.20
流 电流, id (一个)
跨导, gfs (s)
tj = 25 c
150 c
vds > id x rds(在)
BSH205
1e-07
1e-06
1e-05
1e-04
1e-03
1e-02
1e-01
-1 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0
门-源 电压, vgs (v)
流 电流, id (一个)
vds = -5 v
tj = 25 c
normalised 流-源 在 阻抗
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2
0 25 50 75 100 125 150
接合面 温度, tj (c)
vgs = -4.5 v
-1.8 v
rds(在) @ tj
rds(在) @ 25c
-2.5 v
BSH205
10
100
1000
-0.1 -1.0 -10.0 -100.0
流-源 电压, vds (v)
capacitances, ciss, coss, crss (pf)
Ciss
Coss
Crss
8月 1998 4 rev 1.000
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