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资料编号：180383
 
资料名称：BSH205
 
文件大小： 143.56K
   
说明：
 
介绍:
P-channel enhancement mode MOS transistor
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 BSH205
mos 晶体管
图.13. 典型 转变-在 门-承担 特性.
V
GS
= f(q
G
)
图.14. 典型 反转 二极管 电流.
I
F
= f(v
SDS
); 情况: v
GS
= 0 v; 参数 t
j
BSH205
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
012345
门 承担, (nc)
门-源 电压, vgs (v)
vdd = 10 v
rd = 20 ohms
tj = 25 c
BSH205
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
流-源 电压, vsds (v)
源-流 二极管 电流, 如果 (一个)
tj = 25 c
150 c
8月 1998 5 rev 1.000
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