半导体 组 10
hyb 5117800bsj-50/-60/-70
2m x 8-dram
注释:
1) 所有 电压 是 关联 至 vss.
2) icc1, icc3, icc4 和 icc6 取决于 在 循环 比率.
3) icc1 和 icc4 取决于 在 输出 加载. specified 值 是量过的 和 这 输出 打开.
4) 地址 能 是 changed once 或者 较少 当 ras
= vil. 在 这 情况 的 icc4 它 能 是 changed once 或者 较少
在 一个 快 页 模式 循环 (tpc).
5) 一个 最初的 pause 的 200
µ
s 是 必需的 之后 电源-向上 followed 用 8 ras 循环 的 这个 在 least 一个 循环 有
至 是 一个 refresh 循环, 在之前 恰当的 设备 运作 是 达到. 在 情况 的 使用 内部的 refresh 计数器, 一个
最小 的 8 cas-在之前-ras initialization 循环 instead 的 8 ras 循环 是 必需的.
6) 交流 度量 假设 tt = 5 ns.
7) vih (最小值.) 和 vil (最大值.) 是 涉及 水平 为 测量 定时 的 输入 信号. 转变 时间 是 也
量过的 在 vih 和 vil.
8) 量过的 和 一个 加载 相等的 至 2 ttl 负载 和 100 pf.
9) 运作 在里面 这 trcd (最大值.) 限制 确保 那 trac (最大值.) 能 是 符合. trcd (最大值.) 是 指定 作 一个
涉及 要点 仅有的: 如果 trcd 是 更好 比 这 指定 trcd (最大值.) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 用
tcac.
10)运作 在里面 这 trad (最大值.) 限制 确保 那 trac (最大值.) 能 是 符合. trad (最大值.) 是 指定 作 一个
涉及 要点 仅有的: 如果 trad 是 更好 比 这 指定 trad (最大值.) 限制, 然后 进入 时间 是 控制 用
taa.
11)也 trch 或者 trrh 必须 是 satisfied 为 一个 读 循环.
12)toff (最大值.) 和 toez (最大值.) 定义 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开-电路 情况 和 是
不 关联 至 输出 电压 水平.
13)也 tdzc 或者 tdzo 必须 是 satisfied.
14)也 tcdd 或者 todd 必须 是 satisfied.
15)twcs, trwd, tcwd, tawd 和 tcpwd 是 不 restrictive 运行 参数. 它们 是 包含 在 这 数据
薄板 作 电的 特性 仅有的. 如果 twcs > twcs (最小值.), 这 循环 是 一个 early 写 循环 和 这 i/o 管脚
将 仍然是 打开-电路 (高 阻抗) 通过 这 全部 循环; 如果 trwd > trwd (min.), tcwd > tcwd
(最小值.), tawd > tawd (最小值.) 和 tcpwd > tcpwd (min.) , 这 循环 是 一个 read-write 循环 和 i/o 管脚 将
包含 数据 读 从 这 选择 cells. 如果 neither 的 这 在之上 sets 的 情况 是 satisfied, 这 情况 的
这 i/o 管脚 (在 进入 时间) 是 indeterminate.
16)这些 参数 是 关联 至 这 cas leading 边缘 在 early 写 循环 和 至 这 我们 leading 边缘
在 读-写 循环.
17)当 使用 自 refresh 模式, 这 下列的 refresh 行动 必须 是 执行 至 确保 恰当的 dram
运作:
如果 行 地址 是 正在 refreshed 在 一个 evenly distributed manner 在 这 refresh 间隔 使用 cbr
refresh 循环, 然后 仅有的 一个 cbr 循环 必须 是 执行 立即 之后 exit 从 自 refresh.
如果 行 地址 是 正在 refreshed 在 任何 其它 manner (ror - distributed/burst; 或者 cbr-burst) 在 这
refresh 间隔, 然后 一个 全部 设置 的 行 refreshes 必须 是 执行 立即 在之前 entry 至 和 立即
之后 exit 从 自 refresh.
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