BSM100GB120DN2_集成电路资料查询网

半导体 组
2 三月-29-1996
bsm 100 gb 120 dn2
电的 特性
, 在 t
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
门 门槛 电压
V
GE
=
V
ce,
I
C
= 4 毫安
V
ge(th)
4.5 5.5 6.5
V
集电级-发射级 饱和 电压
V
GE
= 15 v,
I
C
= 100 一个,
T
j
= 25 °c
V
GE
= 15 v,
I
C
= 100 一个,
T
j
= 125 °c
V
ce(sat)
-
-
3.1
2.5
3.7
3
零 门 电压 集电级 电流
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
CE
= 1200 v,
V
GE
= 0 v,
T
j
= 125 °c
I
CES
-
-
6
1.5
-
2
毫安
门-发射级 泄漏 电流
V
GE
= 20 v,
V
CE
= 0 v
I
GES
- - 200
nA
交流 特性
跨导
V
CE
= 20 v,
I
C
= 100 一个
g
fs
54 - -
S
输入 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
iss
- 6.5 -
nF
输出 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
oss
- 1 -
反转 转移 电容
V
CE
= 25 v,
V
GE
= 0 v,
f
= 1 mhz
C
rss
- 0.5 -

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半导体组 2 三月-29-1996 bsm 100 gb 120 dn2 电的特性 , 在 t j = 25 °c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性门门槛电压 V GE = V ce, I C = 4 毫安 V ge(th) 4.5 5.5 6.5 V 集电级-发射级饱和电压 V GE = 15 v, I C = 100 一个, T j = 25 °c V GE = 15 v, I C = 100 一个, T j = 125 °c V ce(sat) - - 3.1 2.5 3.7 3 零门电压集电级电流 V CE = 1200 v, V GE = 0 v, T j = 25 °c V CE = 1200 v, V GE = 0 v, T j = 125 °c I CES - - 6 1.5 - 2 毫安门-发射级泄漏电流 V GE = 20 v, V CE = 0 v I GES - - 200 nA 交流特性跨导 V CE = 20 v, I C = 100 一个 g fs 54 - - S 输入电容 V CE = 25 v, V GE = 0 v, f = 1 mhz C iss - 6.5 - nF 输出电容 V CE = 25 v, V GE = 0 v, f = 1 mhz C oss - 1 - 反转转移电容 V CE = 25 v, V GE = 0 v, f = 1 mhz C rss - 0.5 -

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