BSP110_集成电路资料查询网

april 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP110
描述
n-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个
小型的 sot223 封套 和
设计 为 使用 在 电话 ringer
电路 和 为 应用 在 接转,
高-速 和 线条 变压器
驱动器.
特性
•
直接 接口 至 c-mos, ttl,
等
•
高-速 切换
•
非 secondary 损坏
固定 - sot223
标记 代号
BSP110
1 = 门
2 = 流
3 = 源
4 = 流
快 涉及 数据
流-源 电压 V
DS
最大值 80 V
流 源 电压
(非-repetitive 顶峰; t
p
≤
2 ms) V
ds(sm)
最大值 100 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流) I
D
最大值 325 毫安
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=25
°
CP
tot
最大值 1.5 W
流-源 在-阻抗
典型值
最大值
4.5
7
Ω
Ω
I
D
= 200 毫安; v
GS
=10V R
ds(在)
转移 admittance
最小值
典型值
75
150
mS
mS
I
D
= 200 毫安; v
DS
=15V

Y
fs

管脚 配置
图.1  simplfied 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MAM054
4
123
顶 视图
s
d
g

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

april 1995 2 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP110 描述 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管在一个小型的 sot223 封套和设计为使用在电话 ringer 电路和为应用在接转, 高-速和线条变压器驱动器. 特性 • 直接接口至 c-mos, ttl, 等 • 高-速切换 • 非 secondary 损坏固定 - sot223 标记代号 BSP110 1 = 门 2 = 流 3 = 源 4 = 流快涉及数据流-源电压 V DS 最大值 80 V 流源电压 (非-repetitive 顶峰; t p ≤ 2 ms) V ds(sm) 最大值 100 V 门-源电压 (打开流) ± V GSO 最大值 20 V 流电流 (直流) I D 最大值 325 毫安总的电源消耗向上至 t amb =25 ° CP tot 最大值 1.5 W 流-源在-阻抗典型值最大值 4.5 7 Ω Ω I D = 200 毫安; v GS =10V R ds(在) 转移 admittance 最小值典型值 75 150 mS mS I D = 200 毫安; v DS =15V  Y fs  管脚配置图.1 simplfied 外形和标识. handbook, halfpage MAM054 4 123 顶视图 s d g

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com