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资料编号:180580
 
资料名称:BSP110
 
文件大小: 75.69K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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april 1995 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP110
图.4 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
100 2
I
D
(毫安)
R
DSon
(
)
468
10
3
10
2
10
MDA731
V
GS
= 10 v
8 v
6 v
5 v
图.5 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
010
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
246
I
D
(一个)
8
MDA732
V
GS
(v)
V
DS
= 10 v
5 v
图.6 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
010
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
246
I
D
(一个)
8
MDA733
V
DS
(v)
V
GS
= 10 v
5 v
6 v
7 v
8 v
3 v
4 v
图.7 电源 减额 曲线.
handbook,
0 50 100 200
2
0
1.6
150
1.2
0.8
0.4
MBB693
P
tot
(w)
T
amb
(
°
c)
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