关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:180580
资料名称:
BSP110
文件大小: 75.69K
说明
:
介绍
:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 1995
5
飞利浦 半导体
产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP110
图.4 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
100
2
I
D
(毫安)
R
DSon
(
Ω
)
468
10
3
10
2
10
MDA731
V
GS
= 10 v
8 v
6 v
5 v
图.5 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
010
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
246
I
D
(一个)
8
MDA732
V
GS
(v)
V
DS
= 10 v
5 v
图.6 t
j
=25
°
c; 典型 值.
handbook, halfpage
010
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
246
I
D
(一个)
8
MDA733
V
DS
(v)
V
GS
= 10 v
5 v
6 v
7 v
8 v
3 v
4 v
图.7 电源 减额 曲线.
handbook,
0
50
100
200
2
0
1.6
150
1.2
0.8
0.4
MBB693
P
tot
(w)
T
amb
(
°
c)
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com