april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP110
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
热的 阻抗
便条
1. 设备 挂载 在 一个 环氧的 打印-电路 板 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm; 挂载 垫子 为 这 流 含铅的 最小值
6 cm
2
.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified
流-源 电压 V
DS
最大值 80 V
流-源 电压
(非-repetitive 顶峰; t
p
≤
2 ms) V
ds(sm)
最大值 100 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流) I
D
最大值 325 毫安
流 电流 (顶峰) I
DM
最大值 650 毫安
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=25
°
c (便条 1) P
tot
最大值 1.5 W
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至 + 150
°
C
接合面 温度 T
j
最大值 150
°
C
从 接合面 至 包围的 (便条 1) R
th j-一个
= 83.3 k/w
流-源 损坏 电压
I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0 V
(br) dss
最小值 80 V
流-源 泄漏 电流
V
DS
= 60 v; v
GS
=0 I
DSS
最大值 1.0
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v; v
DS
=0 I
GSS
最大值 100 nA
门 门槛 电压
最小值
最大值
0.8
2.8
V
V
I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
I
gs(th)
流-源 在-阻抗 (看 图.4)
典型值
最大值
7
10
Ω
Ω
I
D
= 150 毫安; v
GS
=5V R
ds(在)
I
D
= 200 毫安; v
GS
=10V R
ds(在)
典型值
最大值
4.5
7
Ω
Ω
转移 admittance
最小值
典型值
75
150
mS
mS
I
D
= 200 毫安; v
DS
=5V | y
fs
|
输入 电容 在 f = 1 mhz;
典型值
最大值
15
30
pF
pF
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
iss
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