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资料编号:180694
 
资料名称:BSP254A
 
文件大小: 76.49K
   
说明
 
介绍:
P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
bsp254; bsp254a
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
热的 阻抗
便条
1. 晶体管 挂载 在 打印 电路 板, 最大 含铅的 长度 4 mm,
挂载 垫子 为 流 含铅的 最小 10 mm x 10 mm.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
250 V
V
GSO
门-源 电压 打开 流
20 V
I
D
流 电流 直流
0.2 一个
I
DM
流 电流 顶峰 值
0.6 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
=25
°
c (便条 1)
1W
T
stg
存储 温度 范围
65
+
150
°
C
T
j
接合面 温度
150
°
C
标识 参数 最大值 单位
R
th j-一个
从 接合面 至 包围的 (便条 1) 125 k/w
图.2 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
0
1.2
0.8
0.4
0
50 100 200150
MRC238
P
tot
(w)
T
amb
(
°
c)
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