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april 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
bsp254; bsp254a
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
注释
1. 量过的 在 f = 1 mhz;
−
V
DS
= 25 v; V
GS
=0.
2.
−
V
GS
= 0 至 10 v;
−
I
D
= 250 毫安;
−
V
DD
= 50 v.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
−
V
(br)dss
流-源 损坏 电压
−
V
GS
= 0
−
I
D
=10
µ
一个
250
−−
V
−
I
DSS
流-源 泄漏 电流
−
V
DS
= 200 v
V
GS
=0
−−
1
µ
一个
±
I
GSS
门-源 泄漏 电流
±
V
GS
= 20 v
V
DS
=0
−−
100 nA
−
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
−
I
D
= 1 毫安
0.8
−
2.8 V
R
ds(在)
流-源 在-阻抗
−
V
GS
= 10 v
−
I
D
= 200 毫安;
−
10 15
Ω

Y
fs

转移 admittance
−
V
DS
= 25 v
−
I
D
= 200 毫安
100 200
−
mS
C
iss
输入 电容 便条 1
−
65 90 pF
C
oss
输出 电容 便条 1
−
20 30 pF
C
rss
反馈 电容 便条 1
−
615pF
t
在
转变-在 时间 便条 2
−
510ns
t
止
转变-止 时间 便条 2
−
20 30 ns
图.3  切换 时间 测试 电路.
handbook, halfpage
MBB689
50
Ω
V
DD
=
−
50 v
I
D
0 v
−
10 v
图.4  输入 和 输出 波形.
handbook, halfpage
MBB690
10 %
90 %
90 %
10 %
t
在
t
止
输出
输入

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april 1995 4 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 bsp254; bsp254a 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 注释 1. 量过的在 f = 1 mhz; − V DS = 25 v; V GS =0. 2. − V GS = 0 至 10 v; − I D = 250 毫安; − V DD = 50 v. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 − V (br)dss 流-源损坏电压 − V GS = 0 − I D =10 µ 一个 250 −− V − I DSS 流-源泄漏电流 − V DS = 200 v V GS =0 −− 1 µ 一个 ± I GSS 门-源泄漏电流 ± V GS = 20 v V DS =0 −− 100 nA − V gs(th) 门-源门槛电压 V GS = v DS − I D = 1 毫安 0.8 − 2.8 V R ds(在) 流-源在-阻抗 − V GS = 10 v − I D = 200 毫安; − 10 15 Ω  Y fs  转移 admittance − V DS = 25 v − I D = 200 毫安 100 200 − mS C iss 输入电容便条 1 − 65 90 pF C oss 输出电容便条 1 − 20 30 pF C rss 反馈电容便条 1 − 615pF t 在转变-在时间便条 2 − 510ns t 止转变-止时间便条 2 − 20 30 ns 图.3 切换时间测试电路. handbook, halfpage MBB689 50 Ω V DD = − 50 v I D 0 v − 10 v 图.4 输入和输出波形. handbook, halfpage MBB690 10 % 90 % 90 % 10 % t 在 t 止输出输入

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