april 1995 6
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
bsp254; bsp254a
图.9
典型 r
ds(在)
在
−
200 毫安/
−
10 v.
k
R
DS 在
)(
在 T
j
R
DS 在
)(
在 25
°
C
------------------------------------------------=
handbook, halfpage
−
50 0 50
k
T
j
(
°
c)
150
2.5
0
2
100
1.5
1
0.5
MDA710
图.10
典型 v
gs(th)
在
−
1 毫安.
k
V
GS th
)(
在 T
j
–
V
GS th
)(
在 25
°
C
–
--------------------------------------------------=
handbook, halfpage
−
50 0 50
T
j
(
°
c)
k
150
1.1
1
0.8
0.7
0.9
100
MDA711