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bts 410 f2 半导体 组 9 2003-oct-01 典型值 瞬时 热的 阻抗 碎片 情况 Z thJC = f (t p , d), d=t p /t Z thJC [k/w] 0.01 0.1 1 10 1e-5 1e-4 1e-3 1e-2 1e-1 1E0 1E1 0 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 D= t p [s] |
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