bts 410 f2
半导体 组 6
2003-oct-01
真实 表格
输入- 输出
状态
水平的
水平的
412
B2
410
D2
410
E2
/f2
410
G2
410
H2
正常的
运作
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
打开 加载 L
H
13
)
H
L
H
H
L
H
L
H
L
L
H
短的 电路
至 地
L
H
L
L
H
L
H
L
H
L
H
H
H
L
短的 电路
至 v
bb
L
H
H
H
L
H
H
h (l
14
)
)
H
h (l
14)
)
H
h (l
14)
)
L
H
overtem-
perature
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
下面-
电压
L
H
L
L
L
15)
L
15)
L
15
)
L
15)
H
H
H
H
H
H
超（电）压 l
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
l = "低" 水平的 x = don't 小心 z = 高 阻抗, 潜在的 取决于 在 外部 电路
h = "高" 水平的 状态 信号 之后 这 时间延迟 显示 在 这 图解 (看 图 5. 页 12...13)
13
)
电源 晶体管 止, 高 阻抗, 版本 bts 410h, bts 412b: 内部的 拉 向上 电流 源 为
打开 加载 发现.
14
)
低 阻抗 短的
V
bb
至 输出 将 是 发现 在 在-状态 用 这 非-加载-发现
15
)
非 电流 下沉 能力 在 欠压 关闭
条款
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
ST
V
在
I
ST
I
在
V
bb
I
bb
I
L
V
输出
I
地
V
在
1
2
4
3
5
R
地
输入 电路 (静电释放 保护)
在
地
I
R
ZD ZD
I
I
I1 I2
静电释放-
ZD
I1
6 v 典型值., 静电释放 齐纳 二极管 是 不 至 是 使用 作
电压 clamp 在 直流 情况. 运作 在 这个 模式
将 结果 在 一个 逐渐变化 的 这 齐纳 电压 (增加 的 向上
至 1 v).
: 点此下载
