bts 410 f2
半导体 组 7
2003-oct-01
状态 输出
ST
地
静电释放-
ZD
+5V
R
st(在)
静电释放-齐纳 二极管: 6 v 典型值., 最大值 5 毫安;
R
st(在)
< 250
Ω
在 1.6 毫安, 静电释放 齐纳 二极管 是 不
至 是 使用 作 电压 clamp 在 直流 情况.
运作 在 这个 模式 将 结果 在 一个 逐渐变化 的 这 齐纳
电压 (增加 的 向上 至 1 v).
短的 电路 发现
故障 情况:
V
在
> 8.5 v 典型值.; 在 高
短的 电路
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
V
在
inductive 和 超（电）压 输出 clamp
+ v
bb
输出
地
PROFET
V
Z
V
在
V
在
clamped 至 68 v 典型值
overvolt. 和 反转 batt. 保护
+ v
bb
在
ST
ST
R
在
R
地
地
R
信号 地
逻辑
PROFET
V
Z2
V
Z1
V
Z1
= 6.2 v 典型值.,
V
Z2
= 70 v 典型值.,
R
地
= 150
Ω
, r
在
,
R
ST
= 15 k
Ω
打开-加载 发现
在-状态 diagnostic 情况:
V
在
<
R
在
*
I
l(ol)
; 在
高
打开 加载
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
在
V
在
地 disconnect
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
1
2
4
3
5
V
在
V
ST
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 输入=高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
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