bts 412b2
半导体 组 2
管脚 标识 函数
1 地 - 逻辑 地面
2 在 I 输入, activates 这 电源 转变 在 情况 的 logical 高 信号
3V
bb
+ 积极的 电源 供应 电压,
这 tab 是 短接 至 这个 管脚
4 ST S diagnostic 反馈, 低 在 失败
5 输出
(加载, l)
O 输出 至 这 加载
最大 比率
在
T
j
= 25 °c 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
供应 电压 (超（电）压 保护 看 页 3)
V
bb
65 V
加载 丢弃 保护
2
)
V
LoadDump
=
U
一个
+
V
s
,
U
一个
= 13.5 v
R
I
3
)
= 0.5
Ω
,
R
L
= 6.6
Ω
,
t
d
= 400 ms, 在= 低 或者 高
V
加载 丢弃
4
)
100 V
加载 电流 (短的 电路 电流, 看 页 4)
I
L
自-限制 一个
运行 温度 范围
存储 温度 范围
T
j
T
stg
-40 ...+150
-55 ...+150
°C
电源 消耗 (直流), t
C
≤
25 °c
P
tot
50 W
inductive 加载 转变-止 活力 消耗, 单独的 脉冲波
V
bb
=
12v,
T
j,开始
=
150°c,
T
C
=
150°c 常数
I
L
=
1.8
一个, z
L
=
2.3
h, 0
Ω
:
E
作
4.5 J
静电的 释放 能力 (静电释放) 在:
(人 身体 模型) 所有 其它 管脚:
acc. mil-std883d, 方法 3015.7 和 静电释放 assn. std. s5.1-1993
V
静电释放
1
2
kV
输入 电压 (直流)
V
在
-10 ... +16 V
电流 通过 输入 管脚 (直流)
电流 通过 状态 管脚 (直流)
看 内部的 电路 图解 页 6
I
在
I
ST
±
5.0
±
5.0
毫安
热的 特性
参数 和 情况 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
热的 阻抗 碎片 - 情况:
接合面 - 包围的 (自由 空气):
R
thJC
R
thJA
--
--
--
--
2.5
75
k/w
smd 版本, 设备 在 pcb
5)
:--35--
2
)
供应 电压 高等级的 比 v
bb(az)
需要 一个 外部 电流 限制 为 这 地 和 状态 管脚, e.g. 和 一个
150
Ω
电阻 在 这 地 连接 和 一个 15 k
Ω
电阻 在 序列 和 这 状态 管脚. 一个 电阻 为 这
保护 的 这 输入 是 整体的.
3)
R
I
= 内部的 阻抗 的 这 加载 丢弃 测试 脉冲波 发生器
4)
V
加载 丢弃
是 建制 没有 这 dut 连接 至 这 发生器 每 iso 7637-1 和 din 40839
5
)
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm
2
(一个 layer, 70
µ
m 厚) 铜 范围 为 v
bb
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
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