飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
热的 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th j-mb
接合面 至 挂载 根基 - - 1.3 1.67 k/w
R
th j-一个
接合面 至 包围的 在 自由 空气 - 60 - k/w
静态的 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(cl)dss
流-源 夹紧 电压 V
是
= 0 v; i
D
= 10 毫安 50 - - V
V
(cl)dss
流-源 夹紧 电压 V
是
= 0 v; i
DM
= 2 一个; t
p
≤
300
µ
s; - - 70 V
δ
≤
0.01
I
DSS
零 输入 电压 流 电流 V
DS
= 12 v; v
是
= 0 v - 0.5 10
µ
一个
I
DSS
零 输入 电压 流 电流 V
DS
= 50 v; v
是
= 0 v - 1 20
µ
一个
I
DSS
零 输入 电压 流 电流 V
DS
= 40 v; v
是
= 0 v; t
j
= 125 ˚c - 10 100
µ
一个
R
ds(在)
流-源 在-状态 I
DM
= 13 一个; V
是
= 10 v - 35 50 m
Ω
阻抗 t
p
≤
300
µ
s;
δ
≤
0.01 V
是
= 5 v - 45 60 m
Ω
超载 保护 特性
topfet switches 止 当 一个 的 这 超载 门槛 是 reached. 它 仍然是 latched 止 直到 重置 用 这 输入.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
短的 电路 加载 保护
1
T
mb
= 25 ˚c; l
≤
10
µ
H
E
ds(至)
超载 门槛 活力 V
DD
= 13 v; v
是
= 10 v - 0.4 - J
t
d sc
回馈 时间 V
DD
= 13 v; v
是
= 10 v - 0.8 - ms
在 温度 保护
T
j(至)
门槛 接合面 温度 V
是
= 10 v; 从 i
D
≥
1 一个
2
150 - - ˚C
输入 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定. 这 供应 为 这 逻辑 和 超载 保护 是 带去 从 这 输入.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
是(至)
输入 门槛 电压 V
DS
= 5 v; i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
I
是
输入 供应 电流 V
是
= 10 v; 正常的 运作 - 0.4 1.0 毫安
V
ISR
保护 重置 电压
3
2.0 2.6 3.5 V
V
ISR
保护 重置 电压 T
j
= 150 ˚c 1.0 - -
I
ISL
输入 供应 电流 V
是
= 10 v; 保护 latched 1.0 2.5 4.0 毫安
V
(br)是
输入 clamp 电压 I
I
= 10 毫安 11 13 - V
R
IG
输入 序列 阻抗 至 门 的 电源 场效应晶体管 - 4 - k
Ω
1
这 短的 电路 加载 保护 是 能 至 保存 这 设备 供应 这 instantaneous 在-状态 消耗 是 较少 比 这 限制的 值 为
P
DSM
, 这个 是 总是 这 情况 当 v
DS
是 较少 比 v
DSP
最大. 谈及 至 超载 保护 限制的 值.
2
这 在 温度 保护 特性 需要 一个 最小 在-状态 流 源 电压 为 准确无误的 运作. 这 指定 最小 i
D
确保 这个 情况.
3
这 输入 电压 在下 这个 这 超载 保护 电路 将 是 重置.
january 1993 3 rev 1.200
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