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资料编号：185583
 
资料名称：BUZ104SL
 
文件大小： 126.39K
   
说明：
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated 175∑C operating temperature)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组 8 29/jan/1998
buz 104 sl
SPP13N05L
avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
参数:
I
D
=12.5 一个,
V
DD
=25 v
R
GS
=25
Ω
, l = 666 µh
20 40 60 80 100 120 140 °C 180
T
j
0
10
20
30
40
mJ
60
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
=12 一个
0 2 4 6 8 10 12 14 16 nC 20
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 °C 180
T
j
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(br)dss
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