半导体 组 7 29/jan/1998
buz 104 sl
SPP13N05L
流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
=8.8一个,
V
GS
=4.5V
-60 -20 20 60 100 °C 180
T
j
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
Ω
0.38
R
ds (在)
典型值
98%
门 门槛 电压
V
gs(th)
= f (T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 20µa
-60 -20 20 60 100 140 V 200
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V
3.0
V
gs(th)
最小值
典型值
最大值
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
= 0v,
f
= 1mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
1
10
2
10
3
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
ƒ
(
V
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
F
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
V
SD
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 175 °c 典型值
T
j
= 175 °c (98%)
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