半导体 组
6 29/jan/1998
buz 104 sl
SPP13N05L
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
=25 °c
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
一个
28
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 2.5
b
b 3.0
c
c 3.5
d
d 4.0
e
e 4.5
f
f 5.0
g
g 5.5
h
h 6.0
i
i 6.5
j
j 7.0
k
k 8.0
l
P
tot
=35W
l 10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0 4 8 12 16 20 一个 26
I
D
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
Ω
0.38
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
2.5
V
GS
[v] =
一个
一个
3.0
b
b
3.5
c
c
4.0
d
d
4.5
e
e
5.0
f
f
5.5
g
g
6.0
h
h
6.5
i
i
7.0
j
j
8.0
k
k
10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
一个
45
I
D
: 点此下载
