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半导体 组 5 28/jan/1998
BUZ111S
SPP80N05
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
T
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
W
260
P
tot
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GS
≥
10 v
0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
一个
90
I
D
safe 运行 范围
I
D
=
ƒ
(
V
DS
)
参数:
D
= 0
, t
C
= 25°C
0
10
1
10
2
10
3
10
一个
I
D
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
R
ds(在)
=
V
DS
/
I
D
直流
10 ms
1 ms
100 µs
t
p
= 29.0µs
瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d =t
p
/
T
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
k/w
Z
thJC
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50

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半导体组 5 28/jan/1998 BUZ111S SPP80N05 电源消耗 P tot = ƒ ( T C ) 0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T C 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 W 260 P tot 流电流 I D = ƒ ( T C ) 参数: V GS ≥ 10 v 0 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T C 0 10 20 30 40 50 60 70 一个 90 I D safe 运行范围 I D = ƒ ( V DS ) 参数: D = 0 , t C = 25°C 0 10 1 10 2 10 3 10 一个 I D 10 0 10 1 10 2 V V DS R ds(在) = V DS / I D 直流 10 ms 1 ms 100 µs t p = 29.0µs 瞬时热的阻抗 Z thJC = ƒ ( t p ) 参数: d =t p / T -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 k/w Z thJC 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s t p 单独的脉冲波 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50

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