半导体 组
6 28/jan/1998
BUZ111S
SPP80N05
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
=25 °c
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
一个
180
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 4.0
b
b 4.5
c
c 5.0
d
d 5.5
e
e 6.0
f
f 6.5
g
g 7.0
h
h 7.5
i
i 8.0
j
j 9.0
k
k 10.0
l
P
tot
=250W
l 20.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0 20 40 60 80 100 120 140 一个 180
I
D
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
0.022
Ω
0.026
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
4.0
V
GS
[v] =
一个
一个
4.5
b
b
5.0
c
c
5.5
d
d
6.0
e
e
6.5
f
f
7.0
g
g
7.5
h
h
8.0
i
i
9.0
j
j
10.0
k
k
20.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
20
40
60
一个
100
I
D
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