半导体 组 7 28/jan/1998
BUZ111S
SPP80N05
流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
=80一个,
V
GS
=10V
-60 -20 20 60 100 °C 180
T
j
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
0.022
Ω
0.026
R
ds (在)
典型值
98%
门 门槛 电压
V
gs(th)
= f (T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
=240µA
-60 -20 20 60 100 140 V 200
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
gs(th)
最小值
典型值
最大值
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
= 0v,
f
= 1mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
VDS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
ƒ
(
V
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
0
10
1
10
2
10
3
10
一个
I
F
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
V
SD
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 175 °c 典型值
T
j
= 175 °c (98%)
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