IS42S16100C1
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4
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. 一个
07/21/04
绝对 最大 比率
(1)
标识 参数 比率 单位
V
DD
最大值
最大 供应 电压 –1.0 至 +4.6 V
V
DDQ
最大值
最大 供应 电压 为 输出 缓存区 –1.0 至 +4.6 V
V
在
输入 电压 –1.0 至 +4.6 V
V
输出
输出 电压 –1.0 至 +4.6 V
P
D
最大值
容许的 电源 消耗 1 W
I
CS
输出 短接 电流 50 毫安
T
OPR
运行 温度 Com 0 至 +70 °C
ind. -40 至 +85 °C
T
STG
存储 温度 –55 至 +150 °C
直流 推荐 运行 情况
(2)
(
在 t
一个
= 0 至 +70°c)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
DD
, v
DDQ
供应 电压 3.0 3.3 3.6 V
V
IH
输入 高 电压
(3)
2.0 — V
DD
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压
(4)
-0.3 — +0.8 V
电容 特性
(1,2)
(在 t
一个
= 0 至 +25°c, vdd = vddq = 3.3 ± 0.3v, f = 1 mhz)
标识 参数 典型值 最大值 单位
C
在
1 输入 电容: a0-a11 — 4 pF
C
在
2 输入 电容: (clk, cke,
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, ldqm, udqm) — 4 pF
ci/o 数据输入/输出 电容: dq0-dq15 — 5 pF
注释:
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个
是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 将 影响 可靠性.
2. 所有 电压 是 关联 至 地.
3. v
IH
(最大值) = v
DDQ
+ 2.0v 和 一个 脉冲波 宽度
≤
3 ns.
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