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资料编号:192833
 
资料名称:IS42S16100C1-7TLI
 
文件大小: 755.67K
   
说明
 
介绍:
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS42S16100C1
ISSI
®
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
7
rev. 一个
07/21/04
运行 频率 / latency relationships
标识 参数 -5 -6 -7 单位
时钟 循环 时间 5 6 7 ns
运行 频率 200 166 143 MHz
t
CAC
CAS
Latency 3 3 3 循环
t
RCD
起作用的 command 至 读/写 command 延迟 时间 3 3 3 循环
t
RAC
RAS
latency (t
RCD
+ t
CAC
) 6 6 6 循环
t
RC
command 时期 (ref 至 ref / act 至 act) 9 9 9 循环
t
RAS
command 时期 (act 至 前) 6 6 6 循环
t
RP
command 时期 (前 至 act) 3 3 3 循环
t
RRD
command 时期 (act[0] 至 act [1]) 3 3 3 循环
t
CCD
column command 延迟 时间 1 1 1 循环
(读, reada, writ, writa)
t
DPL
输入 数据 至 precharge command 延迟 时间 1 1 1 循环
t
DAL
输入 数据 至 起作用的/refresh command 延迟 时间 4 4 4 循环
(在 自动-precharge)
t
RBD
burst 停止 command 至 输出 在 高-z 延迟 时间 3 3 3 循环
(读)
t
WBD
burst 停止 command 至 输入 在 invalid 延迟 时间 0 0 0 循环
(写)
t
RQL
precharge command 至 输出 在 高-z 延迟 时间 3 3 3 循环
(读)
t
WDL
precharge command 至 输入 在 invalid 延迟 时间 0 0 0 循环
(写)
t
PQL
last 输出 至 自动-precharge 开始 时间 (读) -2 –2 –1 循环
t
QMD
dqm 至 输出 延迟 时间 (读) 2 2 2 循环
t
DMD
dqm 至 输入 延迟 时间 (写) 0 0 0 循环
t
MCD
模式 寄存器 设置 至 command 延迟 时间 2 2 2 循环
交流 测试 情况
(输入/输出 涉及 水平的: 1.4v)
i/o
50
+1.4v
50 pf
输出 加载
输入
t
OH
t
交流
1.4v
1.4v
t
CH
t
CS
t
CK
t
CHI
t
CL
2.8v
1.4v
0.0v
2.8v
1.4v
0.0v
CLK
输入
输出
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