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资料编号:192833
 
资料名称:IS42S16100C1-7TLI
 
文件大小: 755.67K
   
说明
 
介绍:
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS42S16100C1
ISSI
®
6
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
rev. 一个
07/21/04
交流 特性
(1,2,3)
-5 -6 -7
标识 参数
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
CK
3 时钟 循环 时间
CAS
latency = 3 5 6 7 ns
t
CK
2
CAS
latency = 2 8 8 8 ns
t
交流
3 进入 时间 从 clk
(4)
CAS
latency = 3 5 5.5 5.5 ns
t
交流
2
CAS
latency = 2 6 6 6 ns
t
CHI
clk 高 水平的 宽度 2 2.5 2.5 ns
t
CL
clk 低 水平的 宽度 2 2.5 2.5 ns
t
OH
3 输出 数据 支撑 时间
CAS
latency = 3 2 2.0 2.0 ns
t
OH
2
CAS
latency = 2 2.5 2.5 2.5 ns
t
LZ
输出 低 阻抗 时间 0 0 0 ns
t
HZ
3 输出 高 阻抗 时间
(5)
CAS
latency = 3 4 5.5 5.5 ns
t
HZ
2
CAS
latency = 2 6 6 6 ns
t
DS
输入 数据 建制 时间 2 2 2 ns
t
DH
输入 数据 支撑 时间 1 1 1 ns
t
地址 建制 时间 1.5 2 2 ns
t
AH
地址 支撑 时间 1 1 1 ns
t
CKS
cke 建制 时间 1.5 2 2 ns
t
CKH
cke 支撑 时间 1 1 1 ns
t
CKA
cke 至 clk 恢复 延迟时间 1CLK+3 1CLK+3 1CLK+3 ns
t
CS
command 建制 时间 (
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, dqm) 1.5 2 2 ns
t
CH
command 支撑 时间 (
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, dqm) 1 1 1 ns
t
RC
command 时期 (ref 至 ref / act 至 act) 48 54 63 ns
t
RAS
command 时期 (act 至 前) 32 36 100,000 42 100,000 ns
t
RP
command 时期 (前 至 act) 16 18 20 ns
t
RCD
起作用的 command 至 读 / 写 command 延迟 时间 16 16 16 ns
t
RRD
command 时期 (act [0] 至 act[1]) 11 12 14 ns
t
DPL
3 输入 数据 至 precharge
CAS
latency = 3 1CLK 1CLK 1CLK ns
command 延迟 时间
t
DPL
2
CAS
latency = 2 1CLK 1CLK 1CLK ns
t
DAL
3 输入 数据 至 起作用的 / refresh
CAS
latency =3 1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
—ns
command 延迟 时间 (在 自动-precharge)
t
DAL
2
CAS
latency =2 1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
1CLK+t
RP
—ns
t
T
转变 时间 1 10 1 10 1 10 ns
t
REF
refresh 循环 时间 (4096) 64 64 64 ms
注释:
1. 当 电源 是 第一 应用, 记忆 运作 应当 是 started 100 µs 之后 v
DD
和 v
DDQ
reach 它们的 stipulated 电压. 也 便条 那 这 电源-在
sequence 必须 是 executed 在之前 开始 记忆 运作.
2. 量过的 和 t
T
= 1 ns.
3. 这 涉及 水平的 是 1.4 v 当 测量 输入 信号 定时. 上升 和 下降 时间 是 量过的 在 v
IH
(最小值.) 和 v
IL
(最大值.).
4. 进入 时间 是 量过的 在 1.4v 和 这 加载 显示 在 这 图示 在下.
5. 这 时间 t
HZ
(最大值.) 是 定义 作 这 时间 必需的 为 这 输出 电压 至 转变 用 ± 200 mv 从 v
OH
(最小值.) 或者 v
OL
(最大值.) 当 这
输出 是 在 这 高 阻抗 状态.
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