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资料编号:194743
 
资料名称:AS4LC1M16E5-60TC
 
文件大小: 604.06K
   
说明
 
介绍:
3V 1M X 6 CMOS DRAM (EDO)
 
 


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®
AS4LC1M16E5
4/11/01
alliance 半导体
6
写 循环
shaded areas 表明 进步 信息.
读-modify-写 循环
shaded areas 表明 进步 信息.
refresh 循环
shaded areas 表明 进步 信息.
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
WCS
写 command 建制 时间 0 –0–ns14
t
WCH
写 command 支撑 时间 10 –10– ns14
t
WP
写 command 脉冲波 宽度 10 –10– ns
t
RW L
写 command 至 ras含铅的 时间 10 –10– ns
t
CWL
写 command 至 cas含铅的 时间 8 –10– ns
t
DS
数据-在 建制 时间 0 –0–ns15
t
DH
数据-在 支撑 时间 8 –10– ns15
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
RW C
读-写 循环 时间 113 –135 ns
t
RW D
RAS至 我们延迟 时间 67 77 ns 14
t
CWD
CAS至 我们延迟 时间 32 35 ns 14
t
AW D
column 地址 至 我们延迟 时间 42 47 ns 14
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
CSR
CAS建制 时间 (cas-在之前-ras
)
5 –5–ns6
t
CHR
CAS支撑 时间 (cas-在之前-ras) 8 –10 ns6
t
RPC
RASprecharge 至 cas支撑 时间 0 –0–ns
t
CPT
CAS
precharge 时间
(cbr 计数器 测试)
10 –10 ns
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