®
AS4LC1M16E5
4/11/01
alliance 半导体
7
hyper 页 模式 循环
shaded areas 表明 进步 信息.
输出 使能
shaded areas 表明 进步 信息.
自 refresh 循环
shaded areas 表明 进步 信息.
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
CPWD
CASprecharge 至 我们延迟 时间 45 –52–ns
t
CPA
进入 时间 从 casprecharge – 28 – 35 ns 16
t
RASP
RAS脉冲波 宽度 50 100K 60 100K ns
t
DOH
previous 数据 支撑 时间 从 cas 5 –5–ns
t
REZ
输出 缓存区 转变 止 延迟 从 ras 0 13 0 15 ns
t
WEZ
输出 缓存区 转变 止 延迟 从 我们 0 13 0 15 ns
t
OEZ
输出 缓存区 转变 止 延迟 从 oe 0 13 0 15 ns
t
HPC
hyper 页 模式 循环 时间 20 –25–ns
t
HPRWC
hyper 页 模式 rmw 循环 47 –56–ns
t
RHCP
RAS支撑 时间 从 cas 30 –35–ns
标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
CLZ
CAS至 输出 在 低 z 0 –0–ns11
t
ROH
RAS支撑 时间 关联 至 oe 8 –10–ns
t
OEA
OE进入 时间 – 13 – 15 ns
t
OED
OE至 数据 延迟 13 –15–ns
t
OEZ
输出 缓存区 turnoff 延迟 从 oe 0 13015ns11
t
OEH
OEcommand 支撑 时间 10 –10–ns
t
OLZ
OE至 输出 在 低 z 0 –0–ns
t
止
输出 缓存区 转变-止 时间 0 13 0 15 ns 11,13
标准 标识 参数
-50 -60
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值
t
RASS
RAS脉冲波 宽度
(cbr 自 refresh)
100 –100– µs
t
RPS
RASprecharge 时间
(cbr 自 refresh)
90 –105– ns
t
CHS
CAS
支撑 时间
(cbr 自 refresh)
8 –10–ns
: 点此下载
