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AS4LC1M16E5
3v 1m×16 cmos dram
(edo)
alliance 半导体
4/11/01; v.1.0
alliance 半导体
p.
1 的 22
选择 手册
shaded areas 表明 进步 信息.
标识 -50 -60 单位
最大 ras
进入 时间 t
RAC
50 60 ns
最大 column 地址 进入 时间 t
AA
25 30 ns
最大 cas
进入 时间 t
CAC
10 12 ns
最大 输出 使能 (oe
) 进入 时间 t
OEA
10 12 ns
最小 读 或者 写 循环 时间 t
RC
80 100 ns
最小 hyper 页 模式 循环 时间 t
HPC
20 25 ns
最大 运行 电流 I
CC1
140 120 毫安
最大 cmos 备用物品 电流 I
CC5
1.0 1.0 毫安
管脚 designation
管脚(s) 描述
a0 至 a9 地址 输入
RAS
行 地址 strobe
dq1 至 dq16 输入/输出
OE
输出 使能
我们
写 使能
UCAS
column 地址 strobe, upper 字节
LCAS
column 地址 strobe, 更小的 字节
V
CC
电源
V
SS
地面
管脚 arrangement
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
SOJ
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A6
A5
A4
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Vcc
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
Vcc
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
NC
NC
我们
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
2221Vcc
A7
V
CC
DQ1
DQ2
DQ
3
DQ4
V
CC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
NC
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
36
35
34
33
32
31
30
29
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
15
16
17
18
19
20
21
22
tsop ii
23
24
25
28
27
26
NC
我们
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
特性
• organization: 1,048,576 words × 16 位
• 高 速
- 50/60 ns ras进入 时间
- 20/25 ns hyper 页 循环 时间
- 12/15 ns cas
进入 时间
• 低 电源 消耗量
- 起作用的: 500 mw 最大值 (-60)
- 备用物品: 3.6 mw 最大值, cmos dq
• 扩展 数据 输出
• 1024 refresh 循环, 16 ms refresh 间隔
-ras-仅有的 或者 cas-在之前-rasrefresh 或者 自-refresh
•read-modify-写
• ttl-兼容, 三-状态 dq
• 电子元件工业联合会 标准 包装 和 引脚
- 400 mil, 42-管脚 soj
- 400 mil, 44/50-管脚 tsop ii
• 3v 电源 供应 (as4lc1m16e5)
• 5v tolerant i/os; 5.5v 最大 v
IH
• 工业的 和 商业的 温度 有
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