AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
alliance 半导体
p. 4 的 21
®
交流 参数 一般 至 所有 波形
读 循环
标识 参数
-50 -60
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值
t
RC
随机的 读 或者 写 循环 时间 84 – 104 – ns
t
RP
RAS
precharge 时间 30 – 40 – ns
t
RAS
RAS
脉冲波 宽度 50 10K 60 10K ns
t
CAS
CAS
脉冲波 宽度 8 10K 10 10K ns
t
RCD
RAS
至
CAS
延迟 时间 15 35 15 43 ns 6
t
RAD
RAS
至 column 地址 延迟 时间 12 25 12 30 ns 7
t
RSH
CAS
至
RAS
支撑 时间 10 – 10 – ns
t
CSH
RAS
至
CAS
支撑 时间 40 – 50 – ns
t
CRP
CAS
至
RAS
precharge 时间 5 – 5 – ns
t
ASR
行 地址 建制 时间 0 – 0 – ns
t
RAH
行 地址 支撑 时间 8 – 10 – ns
t
T
转变 时间 (上升 和 下降) 1 50 1 50 ns 4,5
t
REF
refresh 时期 – 16 – 16 ms 3
t
CP
cas precharge 时间 8 – 10 – ns
t
RAL
column 地址 至
RAS
含铅的 时间 25 – 30 – ns
t
ASC
column 地址 建制 时间 0 – 0 – ns
t
CAH
column 地址 支撑 时间 8 10 – ns
标识 参数
-50 -60
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值
t
RAC
进入 时间 从
RAS
– 50 – 60 ns 6
t
CAC
进入 时间 从
CAS
– 13 – 17 ns 6,13
t
AA
进入 时间 从 地址 – 25 – 30 ns 7,13
t
RCS
读 command 建制 时间 0 – 0 – ns
t
RCH
读 command 支撑 时间 至
CAS
0–0–ns9
tRRH
读 command 支撑 时间 至
RAS
0–0–ns9
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