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资料编号:194745
 
资料名称:AS4C1M16F5
 
文件大小: 485.28K
   
说明
 
介绍:
5V 1M X 16 CMOS DRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AS4C1M16F5
4/11/01; v.0.9.1
alliance 半导体
p. 6 的 21
®
快 页 模式 循环
输出 使能
标识 参数
-50 -60
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值
t
CPA
进入 时间 从
CAS
precharge 28 35 ns 13
t
RASP
RAS
脉冲波 宽度 50 100K 60 100K ns
t
PC
读-写 循环 时间 30 35 ns
t
CP
CAS
precharge 时间 (快 页) 10 10 ns
t
PCM
快 页 模式 rmw 循环 80 85 ns
t
CRW
页 模式
CAS
脉冲波 宽度 (rmw) 54 60 ns
标识 参数
-50 -60
单位 注释MinMaxMinMax
t
CLZ
CAS
至 输出 在 低 z 0 0 ns 8
t
ROH
RAS
支撑 时间 关联 至
OE
8–10–ns
t
OEA
OE
进入 时间 13 15 ns
t
OED
OE
至 数据 延迟 13 15 ns
t
OEZ
输出 缓存区 turnoff 延迟 从
OE
013015ns8
t
OEH
OE
command 支撑 时间 10 10 ns
t
OLZ
OE
至 输出 在 低 z 0 0 ns
t
输出 缓存区 转变-止 时间 0 13 0 15 ns 8,10
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