16mb: x16 它 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
16msdramx16it.p65
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rev. 5/99 ©1999, micron 技术, 公司
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16mb: x16
它 sdram
precharge 那 是 initiated 在 这 终止 的 这 burst sequence.
这 1 meg x 16 sdram 使用 一个 内部的 pipelined
architecture 至 达到 高-速 运作. 这个 archi-
tecture 是 兼容 和 这 2
n
rule 的 prefetch architec-
tures, 但是 它 也 准许 这 column 地址 至 是 changed
在 每 时钟 循环 至 达到 一个 高-速, 全部地 随机的
进入. precharging 一个 bank 当 accessing 这 改变-
nate bank 将 hide 这 precharge 循环 和 提供
seamless, 高-速, 随机的-进入 运作.
这 1 meg x 16 sdram 是 设计 至 运作 在 3.3v,
低-电源 记忆 系统. 一个 自动 refresh 模式 是
提供, along 和 一个 电源-节省, 电源-向下 模式.
所有 输入 和 输出 是 lvttl-兼容.
sdrams 提供 substantial advances 在 dram operat-
ing 效能, 包含 这 能力 至 synchronously
burst 数据 在 一个 高 数据 比率 和 自动 column-
地址 一代, 这 能力 至 interleave 在 inter-
nal banks 在 顺序 至 hide precharge 时间, 和 这 能力
至 randomly 改变 column 地址 在 各自 时钟 循环
在 一个 burst 进入.
一般 描述
这 16mb sdram 是 一个 高-速 cmos, 动态
随机的-进入 记忆 containing 16,777,216 位. 它 是
内部 配置 作 一个 双 512k x 16 dram 和 一个
同步的 接口 (所有 信号 是 注册 在 这
积极的 边缘 的 这 时钟 信号, clk). 各自 的 这 512k x
16-位 banks 是 有组织的 作 2,048 rows 用 256 columns 用
16 位. 读 和 写 accesses 至 这 sdram 是 burst
朝向; accesses 开始 在 一个 选择 location 和 continue
为 一个 编写程序 号码 的 locations 在 一个 编写程序
sequence. accesses begin 和 这 registration 的 一个
起作用的 command, 这个 是 然后 followed 用 一个 读 或者
写 command. 这 地址 位 注册 coincident
和 这 起作用的 command 是 使用 至 选择 这 bank 和
行 至 是 accessed (ba 选择 这 bank, a0-a10 选择 这
行). 这 地址 位 注册 coincident 和 这 读
或者 写 command 是 使用 至 选择 这 开始 column
location 为 这 burst 进入.
这 sdram 提供 为 可编程序的 读 或者
写 burst 长度 的 1, 2, 4 或者 8 locations, 或者 这 全部 页,
和 一个 burst terminate 选项. 一个 自动 precharge
函数 将 是 使能 至 提供 一个 自-安排时间 行
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