7
8 meg x 8 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d20_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
8 meg x 8
edo dram
交流 电的 特性
(注释: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) (v
CC
= +3.3v ±0.3v)
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
进入 时间 从 column 地址
t
AA 25 30 ns
column-地址 建制 至 cas# precharge
t
ACH 12 15 ns
column-地址 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
AR 38 45 ns
column-地址 建制 时间
t
ASC 0 0 ns
行-地址 建制 时间
t
ASR 0 0 ns
column 地址 至 we# 延迟 时间
t
AWD 42 49 ns 18
进入 时间 从 cas#
t
CAC 13 15 ns
column-地址 支撑 时间
t
CAH 8 10 ns
cas# 脉冲波 宽度
t
CAS 8 10,000 10 10,000 ns
cas# 低 至 “don’t care” 在 自 refresh
t
CHD 15 15 ns
cas# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
CHR 8 10 ns 4
cas# 至 输出 在 低-z
t
CLZ 0 0 ns
数据 输出 支撑 之后 cas# 低
t
COH 3 3 ns
cas# precharge 时间
t
CP 8 10 ns 13
进入 时间 从 cas# precharge
t
CPA 28 35 ns
cas# 至 ras# precharge 时间
t
CRP 5 5 ns
cas# 支撑 时间
t
CSH 38 45 ns
cas# 建制 时间 (cbr refresh)
t
CSR 5 5 ns 4
cas# 至 we# 延迟 时间
t
CWD 28 35 ns 18
写 command 至 cas# 含铅的 时间
t
CWL 8 10 ns
数据-在 支撑 时间
t
DH 8 10 ns 19
数据-在 建制 时间
t
DS 0 0 ns 19
输出 使不能运转
t
OD 0 12 0 15 ns 23, 24
输出 使能 时间
t
OE 12 15 ns 20
oe# 支撑 时间 从 we# 在
t
OEH 8 10 ns 24
读-modify-写 循环
oe# 高 支撑 时间 从 cas# 高
t
OEHC 5 10 ns
oe# 高 脉冲波 宽度
t
OEP 5 5 ns
oe# 低 至 cas# 高 建制 时间
t
OES 4 5 ns
输出 缓存区 转变-止 延迟
t
止 0 12 0 15 ns 17, 23
电容
(便条: 2)
参数 标识 最大值 单位
输入 电容: 地址 管脚 C
I
1
5pF
输入 电容: ras#, cas#, we#, oe# C
I
2
7pF
输入/输出 电容: dq C
IO
7pF
: 点此下载
