8
8 meg x 8 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d20_2.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
8 meg x 8
edo dram
交流 电的 特性
(注释: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) (v
CC
= +3.3v ±0.3v)
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
oe# 建制 较早的 至 ras# 在 hidden refresh 循环
t
ORD 0 0 ns
edo-页-模式 读 或者 写 循环 时间
t
PC 20 25 ns
edo-页-模式 读-写 循环 时间
t
PRWC 47 56 ns
进入 时间 从 ras#
t
RAC 50 60 ns
ras# 至 column-地址 延迟 时间
t
RAD 9 12 ns 15
行-地址 支撑 时间
t
RAH 9 10 ns
ras# 脉冲波 宽度
t
RAS 50 10,000 60 10,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 (edo 页 模式)
t
RASP 50 125,000 60 125,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 在 自 refresh
t
RASS 100 100 µs
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC 84 104 ns
ras# 至 cas# 延迟 时间
t
RCD 11 14 ns 14
读 command 支撑 时间 (关联 至 cas#)
t
RCH 0 0 ns 16
读 command 建制 时间
t
RCS 0 0 ns
refresh 时期
t
REF 64 64 ms 23
refresh 时期 (2,048 循环) “s” 版本
t
REF 128 128 ms
ras# precharge 时间
t
RP 30 40 ns
ras# 至 cas# precharge 时间
t
RPC 5 5 ns
ras# precharge 时间 exiting 自 refresh
t
RPS 90 105 ns
读 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
RRH 0 0 ns 16
ras# 支撑 时间
t
RSH 13 15 ns
读-写 循环 时间
t
RWC 116 140 ns
ras# 至 we# 延迟 时间
t
RWD 67 79 ns 18
写 command 至 ras# 含铅的 时间
t
RWL 13 15 ns
转变 时间 (上升 或者 下降)
t
T250250ns
写 command 支撑 时间
t
WCH 8 10 ns
写 command 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
WCR 38 45 ns
we# command 建制 时间
t
WCS 0 0 ns 18
we# 至 输出 在 高-z
t
WHZ 12 15 ns
写 command 脉冲波 宽度
t
WP 5 5 ns
we# 脉冲波 widths 至 使不能运转 输出
t
WPZ 10 10 ns
we# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
WRH 8 10 ns
we# 建制 时间 (cbr refresh)
t
WRP 8 10 ns
: 点此下载
