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资料编号:201500
 
资料名称:TE28F320C3B110
 
文件大小: 384.02K
   
说明
 
介绍:
3 VOLT ADVANCED+ BOOT BLOCK 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
E
3 volt advanced+ 激励 块
3
产品 预告(展)
内容
1.0 介绍 .............................................5
1.1 3 volt advanced+ 激励 块 flash 记忆
增强 ............................................5
1.2 产品 overview.........................................6
2.0 产品 描述..............................6
2.1 包装 pinouts ..........................................6
2.2 块 organization .....................................10
2.2.1 参数 blocks ................................10
2.2.2 主要的 blocks.........................................10
3.0 principles 的 运作 .....................11
3.1 总线 运作 ............................................11
3.1.1 读....................................................11
3.1.2 输出 使不能运转.....................................11
3.1.3 备用物品...............................................11
3.1.4 重置...................................................12
3.1.5 写....................................................12
3.2 模式 的 运作....................................12
3.2.1 读 排列 ..........................................12
3.2.2 读 配置..............................13
3.2.3 读 状态 寄存器 ..........................13
3.2.3.1 clearing 这 状态 寄存器 .........13
3.2.4 读 query.........................................13
3.2.5 程序 模式.....................................14
3.2.5.1 suspending 和 resuming
程序.......................................14
3.2.6 擦掉 模式.........................................14
3.2.6.1 suspending 和 resuming 擦掉.15
3.3 有伸缩性的 块 locking................................19
3.3.1 locking 运作 ...............................19
3.3.2 锁 状态 .......................................19
3.3.3 unlocked 状态 ....................................19
3.3.4 锁-向下 状态 .................................19
3.3.5 读 一个 块’s 锁 状态 ............20
3.3.6 locking 行动 在 擦掉
Suspend.............................................20
3.3.7 状态 寄存器 错误 checking ...........20
3.4 128-位 保护 寄存器.........................21
3.4.1 读 这 保护 寄存器 ..........21
3.4.2 程序编制 这 保护 寄存器 ..21
3.4.3 locking 这 保护 寄存器 ...........22
3.5 v
PP
程序 和 擦掉 电压...............22
3.5.1 容易-12 v 运作 为 快
制造 程序编制...............22
3.5.2 v
PP
V
PPLK
为 完全 保护 ...22
3.5.3 v
PP
用法 ...........................................22
3.6 电源 消耗量 ...................................23
3.6.1 起作用的 电源 (程序/擦掉/读) ...23
3.6.2 自动 电源 savings (aps) .........23
3.6.3 备用物品 电源 ....................................23
3.6.4 深的 电源-向下 模式.....................24
3.7 电源-向上/向下 运作.........................24
3.7.1 rp# 连接 至 系统 重置 ........24
3.7.2 v
CC
, v
PP
和 rp# transitions .............24
3.8 电源 供应 解耦 ..........................24
4.0 绝对 最大 比率 ................25
4.2 运行 情况..................................25
4.3 电容 ...............................................26
4.4 直流 特性 .....................................26
4.5 交流 characteristics—read operations—
扩展 温度..............................30
4.6 交流 characteristics—write operations—
扩展 温度..............................32
4.7 擦掉 和 程序 timings.......................33
4.8 重置 行动 .......................................35
5.0 订货 信息..........................36
6.0 额外的 信息.......................37
附录 一个: wsm 电流/next states ..........38
附录 b: 程序/擦掉 flowcharts ........40
附录 c: 一般 flash 接口 query
结构......................................................46
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