E
3 volt advanced+ 激励 块
5
产品 预告(展)
1.0 介绍
这个 文档 包含 这 规格 为 这
3 volt advanced+ 激励 块 flash 记忆 家族.
这些 flash memories 增加 特性 这个 能 是
使用 至 增强 这 安全 的系统: instant
块 locking 和 一个 保护 寄存器.
全部地 这个 文档, 这 期
“2.7 v” 谈及
至 这 全部 电压 范围 2.7 v–3.6 v (除了 在哪里
指出 否则) 和 “v
PP
=
12 v” 谈及 至 12 v
±5%. sections 1 和 2 提供 一个 overview 的 这
flash 记忆 家族 包含 产品, pinouts,
管脚 描述 和 记忆 organization. 部分
3 describes 这 运作 的 这些 产品. 最终,
部分 4 包含 这 运行 规格.
1.1 3 volt advanced+ 激励 块
flash 记忆 增强
这 3 volt advanced+ 激励 块 flash 记忆
特性:
•
零-latency, 有伸缩性的 块 locking
•
128-位 保护 寄存器
•
简单的 系统 implementation 为 12 v
生产 程序编制 和 2.7 v 在-地方
程序编制
•
过激-低 电源 运作 在 2.7 v
•
最小 100,000 块 擦掉 循环
•
一般 flash 接口 为 软件 query 的
设备 规格 和 特性
表格 1. 3 volt advanced+ 激励 块 特性 summary
特性
8 m
(2)
16 m
32 m
(1)
8 m
(2)
16 m
32 m
涉及
V
CC
运行 电压 2.7 v – 3.6 v 表格 8
V
PP
电压 提供 完全 写 保护 和
optional 12v 快 程序编制
表格 8
V
CCQ
i/o 电压 2.7 v– 3.6 v 便条 3
总线 宽度 8-位 16-位 表格 2
速 (ns) 90, 110 @ 2.7 v 和 80, 100 @ 3.0 v 表格 11
blocking (顶 或者 bottom) 8 x 8-kbyte 参数
4-mb: 7 x 64-kbyte 主要的
8-mb: 15 x 64-kbyte 主要的
16-mb: 31 x 64-kbyte 主要的
32-mb: 63 x 64-kbyte 主要的
8 x 4-kword 参数
4-mb: 7 x 32-kword 主要的 8-
mb: 15 x 32-kword 主要的
16-mb: 31 x 32-kword 主要的
32-mb: 63 x 32-kword 主要的
部分 2.2
附录 e 和 f
运行 温度 扩展: –40 °c 至 +85 °c 表格 8
程序/擦掉 cycling 100,000 循环 表格 8
包装 40-含铅的 tsop
(1)
48-球
µ
bga* csp
(2)
48-含铅的 tsop
48-球
µ
bga* csp
(2)
计算数量 1, 2, 3,
和 4
块 locking 有伸缩性的 locking 的 任何 块 和 零 latency 部分 3.3
保护 寄存器 64-位 唯一的 设备 号码, 64-位 用户 可编程序的 部分 3.4
注释:
1. 32-mbit 密度 不 有 在 40-含铅的 tsop.
2.
8-mbit 密度 不 有 在 µbga* csp.
3. V
CCQ
运作 在 1.65 v — 2.5 v 有 在之上 要求.
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