3 volt advanced+ 激励 块
E
6
产品 预告(展)
1.2 产品 overview
intel 提供 secure 低 电压 记忆 解决方案
和 这 先进的 激励 块 家族 的 产品. 一个
新 块 locking 特性 准许 instant
locking/unlocking 的 任何 块 和 零-latency. 一个
128-位 保护 寄存器 准许 唯一的 flash
设备 identification.
分离的 供应 管脚 提供 单独的 电压 读,
程序, 和 擦掉 能力 在 2.7 v 当 也
准许 12 v v
PP
为 faster 生产
程序编制. 容易-12 v, 一个 新 特性 设计
至 减少 外部 逻辑, 使简化 板 设计
当 结合 12 v 生产 程序编制 和
2.7 v 在-地方 程序编制.
这 3 volt advanced+ 激励 块 flash 记忆
产品 是 有 在 也 x8 或者 x16 包装
在 这 下列的 densities: (看 部分 6,
订货
信息
)
•
8-mbit (8,388,608 位) flash memories 有组织的
作 也 512 kwords 的 16 位 各自 或者 1024
kbytes 或者 8 位 各自.
•
16-mbit (16,777,216 位) flash memories
有组织的 作 也 1024 kwords 的 16 位
各自 或者 2048 kbytes 的 8 位 各自.
•
32-mbit (33,554,432 位) flash memories
有组织的 作 也 2048 kwords 的 16 位
各自 或者 4096 kbytes 的 8 位 各自.
第八 8-kb 参数 blocks 是 located 在 也
这 顶 (denoted 用 -t 后缀) 或者 这 bottom (-b
后缀) 的 这 地址 编排 在 顺序 至 accommodate
不同的 微处理器 protocols 为 kernel 代号
location. 这 remaining 记忆 是 grouped 在 64-
kbyte 主要的 blocks.
所有 blocks 能 是 锁 或者 unlocked instantly 至
提供 完全 保护 为 代号 或者 数据. (看
部分 3.3 为 详细信息).
这 command 用户 接口 (cui) serves 作 这
接口 在 这 微处理器 或者
微控制器 和 这 内部的 运作 的 这
flash 记忆. 这 内部的 写 状态 机器
(wsm) automatically executes 这 algorithms 和
timings 需要 为 程序 和 擦掉
行动, 包含 verification, 因此
unburdening 这 微处理器 或者 微控制器.
这 状态 寄存器 indicates 这 状态 的 这 wsm
用 signifying 块 擦掉 或者 文字 程序
completion 和 状态.
程序 和 擦掉 automation 准许 程序 和
擦掉 行动 至 是 executed 使用 一个 工业-
标准 二-写 command sequence 至 这 cui.
程序 行动 是 执行 在 文字 或者 字节
increments. 擦掉 行动 擦掉 所有 locations
在里面 一个 块 同时发生地. 两个都 程序 和
擦掉 行动 能 是 suspended 用 这系统
软件 在 顺序 至 读 从 任何 其它 块. 在
增加, 数据 能 是 编写程序 至 另一 块
在 一个 擦掉 suspend.
这 3 volt advanced+ 激励 块 flash memories
提供 二 低 电源 savings 特性: 自动
电源 savings (aps) 和 备用物品 模式. 这
设备 automatically enters aps 模式 下列的 这
completion 的 一个 读循环. standby 模式 是
initiated 当 这系统 deselects 这 设备 用
驱动 ce# inactive. 联合的, 这些 二 电源
savings 特性 significantly 减少 电源
消耗量.
这 设备 能 是 重置 用 lowering rp# 至 地.
这个 提供 cpu-记忆 重置 同步
和 额外的 保护 相反 总线 噪音 那
将 出现 在 系统 重置和 电源-向上/向下
sequences (看 部分 3.5 和 3.6).
谈及 至 这
直流 特性
部分 4.4 为
完全 电流 和 电压 规格. 谈及
至 这
交流 特性
sections 4.5 和 4.6, 为
读 和 写 效能 规格. 程序
和 擦掉 时间 和 显示 在 部分 4.7.
2.0 产品 描述
这个 部分 提供 设备 管脚 描述 和
包装 pinouts 为 这 3 volt advanced+ 激励
块 flash 记忆 家族, 这个 是 有 在 40-
含铅的 tsop (x8, 图示 1), 48-含铅的 tsop (x16,
图示 2) 和 48-球
µ
bga 包装 (计算数量 3
和 4).
2.1 包装 pinouts
在 各自 图解, upgrade 管脚 从 一个 密度 至
这 next 是 circled.
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